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VSI6X制砂机
进料粒度: 0-60mm
产量: 109-839t/h
CS弹簧圆锥破碎机
进料粒度: 0-370mm
产量: 45-780t/h
CI5X系列反击式破碎机
进料粒度: 0-1300mm
产量: 150-2000t/h
GF系列给料机
进料粒度: 0-1500mm
产量: 400-2400t/h
HGT旋回式破碎机
进料粒度: 0-1570mm
产量: 2015-8895t/h
HPT液压圆锥破碎机
进料粒度: 0-350mm
产量: 0-350mmt/h
HST液压圆锥破碎机
进料粒度: 0-560mm
产量: 45-2130t/h
C6X系列颚式破碎机
进料粒度: 0-1200mm
产量: 80-1510t/h
NK系列移动站
进料粒度: 0-680mm
产量: 100-500t/h
MK系列破碎筛分站
进料粒度: 0-900mm
产量: 100-500t/h
S5X系列圆振动筛
进料粒度: 0-300mm
产量: 45-2250t/h
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多晶硅生产工艺流程哔哩哔哩
多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括,三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化(有的采用氯氢化),精馏,还原,尾气回收,还有一些小的主项,制氢、氯
多晶硅生产工艺知乎
这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后,生产过程如下:在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原,得到产物SiC,再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO2反应,可
全自动多晶硅破碎系统全自动智能化多晶硅自动破碎生产线
二、系统特点.全自动智能化多晶硅自动破碎生产线具有快捷高效的工作特点,并且可以全面杜绝多晶硅破碎过程中的二次污染问题,保证了多晶硅的质量纯度为核
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一种水爆破碎多晶硅料的方法与流程X技术
本发明属于多晶硅铸锭制备技术领域,具体涉及一种水爆破碎多晶硅料的方法。背景技术随着太阳能发电领域产能的日趋增加,单晶技术成本逐步下降,特别是
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多晶硅破碎工还是挺累的.多晶硅的破碎是多晶硅生产企业最后的生产环节,其完成的好坏直接与多晶硅品质和企业效益联系在一起。.多晶硅企业破碎多晶硅几乎
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多晶硅生产工艺.1、改良西门子法.改良西门子法是一种化学方法,首先利用冶金硅(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3,下文简称TCS),然后将TCS精馏提纯,最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS
多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较1.多晶硅的生产工艺
1.多晶硅的生产工艺:从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957年,这种多晶硅生产工艺开始应用于.
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在1080~1100的反应温度下,在还原炉内通电的炽热硅芯硅棒的表面,三氯氢硅发生氢还原反应,生成硅沉积下来,使硅芯硅棒的直径逐渐变大。.经过约150小时反应沉积过程,制得直径为120~150mm,长2000mm的多晶硅棒,即为高纯多晶硅产品。.还原炉炉筒夹套通入
中国平煤神马集团一块煤的蝶变之旅,石墨,多晶硅,焦炉,针状
中国平煤神马集团一块煤的蝶变之旅,石墨,中国平煤神马集团,多晶硅,焦炉,针状焦位于河南省的中国平煤神马集团,作为一个传统能源化工企业,近年来持续推进战略转型,激活创新“第一动力”,通过“立足煤、延伸煤、超越煤”,打通了从煤焦到尼龙化工、碳材料、硅材料和氢能特色产业链
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中能硅业利用多晶硅生产过程中的副产品为资源,正在与世界一流企业合资合作开发硅化学产品。以提供光伏用多晶硅产品为主导,半导体多晶硅为补充,延伸多晶硅生产的原料产业链及副产品处理产业链,进一步提升我国硅材料行业的国际竞争力。
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多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程
1.本技术涉及多晶硅生产技术领域,具体而言,涉及一种多晶硅棒破碎系统及破碎方法。背景技术:2.多晶硅是生产太阳能电池、半导体元件的基础材料。目前多晶硅的主流制备过程包括:将冶金级硅粉通过改良西门子法,在cvd反应器中采用硅芯载体电加热的方式,气相沉积制得多晶硅棒,多晶硅棒
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最新硅片(多晶硅)切割工艺及流程.doc.XinyuCollege硅片(多晶硅)切割工艺及流程10081002806111太阳能科学与工程系13光伏材料加工与应用技术1415指导教师1617新余高等专科学校教务处制18硅片(多晶硅)切割工艺及流程1920摘要2122随着能源短缺和环境污染等问题的日益
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多晶硅破碎机通过辊轮进行破碎作业。物料由进料口进入辊子之间,通过挤压作用破碎河卵石,两辊轮之间有的间隙,两辊轮间隙变大,物料出料粒度变大,在压紧弹簧的作用下两辊轮间隙变小,出料粒度变小。通过改变调整间隙,可以控制物料的出料粒度。
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铸造多晶硅中的金属杂质及其对硅片性能的影响aaa百度文库
这也是铸造多晶硅中金属杂质含量偏高的一个主要原因。整个工艺流程中引入金属杂质的途径有很多,例如硅料清洗过程中清洗液的残留,晶锭转运过程中使用的不锈钢转运车,多晶硅棒破碎过程中所使用的铁锤等。2.过渡族金属在硅片中的扩散和溶解