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VSI6X制砂机
进料粒度: 0-60mm
产量: 109-839t/h
CS弹簧圆锥破碎机
进料粒度: 0-370mm
产量: 45-780t/h
CI5X系列反击式破碎机
进料粒度: 0-1300mm
产量: 150-2000t/h
GF系列给料机
进料粒度: 0-1500mm
产量: 400-2400t/h
HGT旋回式破碎机
进料粒度: 0-1570mm
产量: 2015-8895t/h
HPT液压圆锥破碎机
进料粒度: 0-350mm
产量: 0-350mmt/h
HST液压圆锥破碎机
进料粒度: 0-560mm
产量: 45-2130t/h
C6X系列颚式破碎机
进料粒度: 0-1200mm
产量: 80-1510t/h
NK系列移动站
进料粒度: 0-680mm
产量: 100-500t/h
MK系列破碎筛分站
进料粒度: 0-900mm
产量: 100-500t/h
S5X系列圆振动筛
进料粒度: 0-300mm
产量: 45-2250t/h
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VSI6X制砂机
进料粒度: 0-60mm
产量: 109-839t/h
CS弹簧圆锥破碎机
进料粒度: 0-370mm
产量: 45-780t/h
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进料粒度: 0-1300mm
产量: 150-2000t/h
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进料粒度: 0-1570mm
产量: 2015-8895t/h
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进料粒度: 0-350mm
产量: 0-350mmt/h
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S5X系列圆振动筛
进料粒度: 0-300mm
产量: 45-2250t/h
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NK系列移动站
进料粒度: 0-680mm
产量: 100-500t/h
MK系列破碎筛分站
进料粒度: 0-900mm
产量: 100-500t/h
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GF系列给料机
进料粒度: 0-1500mm
产量: 400-2400t/h
S5X系列圆振动筛
进料粒度: 0-300mm
产量: 45-2250t/h
磨削碳化硅生产技术
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎
摘要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅
碳化硅~制备难点知乎
概述晶体制备晶体加工器件制造进展碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致,主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以•衬底:高纯度的碳粉和硅粉1:1混合制成碳化硅粉,通过单晶生长成为碳化硅晶锭,然后对其进行切割、打磨、抛光后得到透明的碳化硅衬底,其厚度一般为350μm;•外延:碳化硅衬底的表面特性不足以支撑制造碳化硅器件,需要采用气相沉积法在其表面再生•晶圆制造:通过涂胶、显影、光刻、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化等前道工艺实现碳化硅器件的结构与功能;在zhuanlan.zhihu上查看更多信息工艺,详解碳化硅晶片的工艺流程知乎
目前全球95%以上的半导体元件,都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料,不过随着电动车、5G等新应用兴起,硅基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,因此以氮化
碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面
碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案.半导体产业是现代科技发展的原始驱动力,代表一个国家科学技术发展最高水平。.第一代Si基半导体产业在过去半
碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究CNKI
摘要】:碳化硅陶瓷具有高强度和硬度、高弹性模量、低密度、良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛应用,但由于脆性大而在精密及
碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究金属加工汽车制造网
碳化硅(SiC)陶瓷材料具有高硬度、高耐磨性、耐腐蚀、耐高温、密度低和导热性好等优良性能,广泛应用于航空航天、机械制造、汽车零部件和国防军工等领域
一种磨削碳化硅晶体端面的方法及装置制造方法
1.一种磨削碳化硅晶体端面的方法,其特征在于:采用同一设备将至少两块的待磨削晶体同时定位,同时对砂轮修整装置同步定位,之后即可进行晶体的磨削。.2.一
江苏三责新材料科技有限公司精细化工与制药,技术陶瓷
总投资2.4亿元的三责新材高性能碳化硅陶瓷新材料产业化基地在南通开发区奠基.该项目由江苏三责新材料科技有限公司投资,可年产400吨高性能碳化物陶瓷产
碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究技术磨料磨具网磨料磨具
本文采用金刚石砂轮对碳化硅陶瓷进行端面磨削正交试验研究,试验参数选用低进给速度和大磨削深度,探究了不同磨削参数对磨削力和磨削面质量的影响规
全球与中国碳化硅基片和外延片市场现状及未来发展趋势知乎
同时,随着技术的不断发展,SiC基片和外延片的生产成本正在逐步降低,这将促进市场的增长。目前,SiC基片和外延片市场的竞争比较激烈,主要的生产厂
碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星腾讯新闻
10小时之前许多国外企业采用更为先进的激光切割和冷分离技术提高切片效率,如年DISCO开发的激光切片技术不用经历研磨过程,仅需10分钟就能切出一片6英寸碳化硅晶圆,生产效率提升35倍。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现,但碳化硅断裂
碳化硅晶圆制造难在哪?做出200mm的凤毛麟角电
做出200mm的凤毛麟角电子工程专辑.碳化硅晶圆制造难在哪?.做出200mm的凤毛麟角.同时期的硅晶圆已经由200mm(8英寸)向300mm(12英寸)进发,但碳化硅晶圆的主流尺寸一直是150mm(6英
首片国产6英寸碳化硅晶圆发布,有哪些工艺设备?有多难做
碳化硅研磨机主要技术难点:高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制,磨削后晶圆表面出现损伤层、微裂纹和残余应力,SiC晶圆减薄后产生比Si晶圆更大的翘曲现象,薄晶圆传输中的碎片问题等。国内外主要厂家:日本不二越、韩国NTS、美国斯
硅片的生产技术索比光伏网Solarbe
当前,市场上已全面使用金刚线切割技术。在年之前市面上通常采用砂浆切割的方式,其切割方式是游离式的切割模式,靠悬浮液的悬浮碳化硅,通过线网的带动以进行磨削切割。随着年金刚线切割技术的发明,砂浆切割的市场份额逐渐降低。
碳化硅行业研究:把握能源升级+技术迭代的成长机遇(附下载
碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致,主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节,其中:衬底:高纯度的碳粉和硅粉1:1混合制成碳化硅粉,通过单晶生长成为碳化硅晶锭,然后对其
碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究金属加工汽车制造网
碳化硅(SiC)陶瓷材料具有高硬度、高耐磨性、耐腐蚀、耐高温、密度低和导热性好等优良性能,广泛应用于航空航天、机械制造、汽车零部件和国防军工等领域。.目前,利用金刚石砂轮磨削加工碳化硅是应用较为广泛的一种加工方法,国内磨削加工主要进行
2023年碳化硅行业专题分析碳化硅供需缺口持续扩大报告
许多国外企业采用更为先进的激光切割和冷分离技术提高切片效率,如年DISCO开发的激光切片技术不用经历研磨过程,仅需10分钟就能切出一片6英寸碳化硅晶圆,生产效率提升35倍。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现,但碳化硅
碳化硅:第三半导体核心材料,产业链龙头全梳理,半导体材料
当前国内碳化硅衬底产能仍有较大部分为24英寸,部分头部厂商完成了6英寸碳化硅衬底的技术储备并实现了量产,但规模较小,8英寸衬底生产技术仍处于技术储备之中。国外碳化硅龙头CREE、IIIV分别在和年实现了8英寸碳化硅衬底的量产能力。
碳化硅的生产方法、性能、种类及行业应用,微粉,sic,碳化硼
中国黑碳化硅和绿碳化硅都是使用硅石生产,其中绿碳化硅为了除去Al而添加盐。除了中国外,欧洲等国家的黑碳化硅是使用硅砂生产,化学成分已经接近绿碳化硅。因为硅砂是微粉,与使用硅石的场合相比,反应时产生的气体更加难以排除。3.7.2电力单耗
碳化硅产业现状及其在耐火材料中的应用资讯磨料磨具网
碳化硅化学性质工业生产的碳化硅砂除主成分SiC外,通常含有的杂质。这些杂质主要有:1)游离硅。它一部分溶解于SiC晶体中,一部分与其杂质(如铁、铝、钙等)形成合金而粘附于晶体上或嵌在晶体中。2)游离二氧化硅。通常存在于晶体表面。
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10小时之前许多国外企业采用更为先进的激光切割和冷分离技术提高切片效率,如年DISCO开发的激光切片技术不用经历研磨过程,仅需10分钟就能切出一片6英寸碳化硅晶圆,生产效率提升35倍。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现,但碳化硅断裂
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解读!碳化硅晶圆划片技术加工
碳化硅晶圆划片技术.碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料,SiC器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势,是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的,应用前景十分广阔,是核心器件发展需要的关键材料,由于
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中国黑碳化硅和绿碳化硅都是使用硅石生产,其中绿碳化硅为了除去Al而添加盐。除了中国外,欧洲等国家的黑碳化硅是使用硅砂生产,化学成分已经接近绿碳化硅。因为硅砂是微粉,与使用硅石的场合相比,反应时产生的气体更加难以排除。3.7.2电力单耗
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